高効率モータ・ドライバを小型化する表面実装型の低消費電力IPMを発表

STマイクロエレクトロニクス（NYSE:STM、以下ST）は、小型の表面実装型インテリジェント・パワーモジュール（IPM）の5品種追加し、SLLIMM(TM)-nanoファミリを拡充しました。モータ内蔵型などスペースに制約があるモータ駆動アプリケーションに最適なこれらの製品は、IGBT出力またはMOSFET出力を選択でき、非常に低い電力定格から最大100Wまでの駆動が可能です。

新しいIPMは、高い導通効率とスイッチング効率を実現しており、特にハード・スイッチング回路（最大周波数20kHz）に適しています。内蔵のゲートドライバ回路は、スイッチング時の電圧および電流スロープ（dV/dt、di/dt）を制御することにより、電磁放射（EMI）を最小化する設計になっています。放熱効率の高いパッケージが、信頼性の向上とヒートシンクを使わない設計を可能にします。また、広い沿面距離（2.7mm）と空間距離（2.0mm）により、デュアル・インラインSMDの小さな実装面積内において安全な絶縁性を実現します。モジュール端子は、回路基板のレイアウトを簡略化できるように配置が最適化されています。

STの新しいIPMは、幅広い生活家電や産業機器（小型ファン、シャッター、冷蔵庫用コンプレッサ、食洗器、排水・再循環用ポンプ、その他の低消費電力汎用モータ・ドライバなど）に対して、省スペースと、高効率、優れた信頼性と安全性、低ノイズというメリットを提供します。

また、追加の機能として、ゲート・ドライバと、500V耐圧パワーMOSFETまたは600V耐圧IGBT / フリーホイール・ダイオード・アレイの他、オペアンプとコンパレータを内蔵しています。これにより、最先端の電流検知および過電流保護機能を最小限の外付け部品により実装することができます。スマート・シャットダウン機能は、異常状態を高速で検知でき、インターロッキングおよび低電圧ロックアウトが搭載されていると共に、ブートストラップ・ダイオードも内蔵されており、モジュールのゲート制御回路の電源設計の簡略化が可能です。

新しいSLLIMM nanoパワー・モジュールは、STIPNS1M50T-H、STIPNS2M50T-H、STIPNS2M50-H、STGIPNS3H60T-HおよびSTGIPNS3HD60-Hの5製品で、1A、2A、または3Aの定格電流（25℃時）を選択することができます。5製品とも、表面実装型のフルモールド・デュアルインライン・パッケージ（NSDIP-26L）で提供されます。これらの新製品は現在サンプル出荷中で、2017年第4四半期に量産を開始する予定です。STIPNS1M50T-Hの価格は1000個購入時に約5ドルです。

詳細については、 http://www.st.com/ipm をご覧ください。

STマイクロエレクトロニクスについて
STは、私たちの暮らしに欠かすことのできないエレクトロニクス機器に、優れた性能と高い電力効率を特徴とした半導体を提供する世界的な総合半導体メーカーです。あらゆるシーンで活躍するSTの製品は、お客様が開発する次世代モバイルやIoT機器の他、よりスマートな自動車、工場、都市および住宅を可能にします。STは、生活をより豊かにする技術革新を通じ、「life.augmented」の実現に取り組んでいます。STは、10万社を超えるお客様に半導体を提供しており、2016年の売上は69.7億ドルでした。さらに詳しい情報はSTのウェブサイト（ http://www.st.com ）をご覧ください。

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