同期整流で電力効率を高める先進的な60V耐圧パワーMOSFETを発表

 

STマイクロエレクトロニクス（NYSE:STM、以下ST）は、トレンチゲート構造を採用した低耐圧MOSFETシリーズSTripFET(TM) F7を拡張する新しい60V耐圧パワーMOSFETを発表しました。同製品は、通信機器 / サーバ / デスクトップPC用電源の他、産業機器用電源や太陽光マイクロインバータのDC/DCコンバータなどに求められる、電力効率の厳しい仕様に対応し、電力密度を最大化します。

STripFET F7は、トレンチゲート構造の簡略化を通じて、導通効率とスイッチング性能を改善しており、オン抵抗、容量、およびゲート電荷を非常に低く抑えると共に、優れた性能指数（R(DS(ON)) x Q(g)）を実現しています。また、ボディ・ダイオードの逆回復電荷が小さいため、スイッチングが高速化されています。その他、高いアバランシェ耐性が、厳しい動作条件下での堅牢性を確保すると同時に、帰還容量対入力容量比（C(rss)/C(iss)）を低く抑えることでEMI耐性を向上させています。

STripFET F7の新しい60V耐圧パワーMOSFETは同期整流向けに最適化されています。また、必要とされる最大電流に応じて、並列接続する製品数を減らすことができ、電力密度の向上と部品点数の削減が可能になります。同製品群は、12品種で構成され、最大電流は90Aから260Aまで（Tc = 25℃の連続ドレイン電流（Silicon Limited））、業界標準の各種パワー・パッケージ（PowerFLAT(TM) 5x6、PowerFLAT 3.3x3.3、DPAK、D2PAK、TO-220、TO-220FP、および2リードまたは6リードのH2PAK）で提供されます。

現在、全品種が量産中で、STL90N6F7（90A、PowerFLAT 5x6）の単価は1000個購入時に約0.98ドルです。

詳細については、 http://www.st.com/INSERTURL をご覧ください。

STマイクロエレクトロニクスについて
STは、私たちの暮らしに欠かすことのできないエレクトロニクス機器に、優れた性能と高い電力効率を特徴とした半導体を提供する世界的な総合半導体メーカーです。あらゆるシーンで活躍するSTの製品は、お客様が開発する次世代モバイルやIoT機器の他、よりスマートな自動車、工場、都市および住宅を可能にします。STは、生活をより豊かにする技術革新を通じ、「life.augmented」の実現に取り組んでいます。STは、10万社を超えるお客様に半導体を提供しており、2014年の売上は74.0億ドルでした。さらに詳しい情報はSTのウェブサイト（ http://www.st-japan.co.jp ）をご覧ください。

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