電力効率と安全マージンを向上させるスーパー・ジャンクション型の新しい650V耐圧パワーMOSFETを発表

STマイクロエレクトロニクス（NYSE：STM、以下ST）は、生活家電用電源、低消費電力照明ならびに太陽光発電システム用の小型インバータ等において、電力効率を向上させるスーパージャンクション型の最新のパワーMOSFETを発表しました。ロバスト性に優れた同製品は、電力密度の高い最新のパッケージでも提供される予定です。

MDmesh M2シリーズは、最先端のスーパー・ジャンクション技術を採用しており、低ゲート電荷（Q(GD)）および低入出力静電容量（C(iss)/C(oss)）に加えて、従来製品よりも低いオン抵抗（R(DS(ON))）を実現しています。また、これらの先進性が、電力損失および熱損失をさらに低減すると共に、より高速かつ高効率のスイッチングを可能にします。

また、一般的な製品（600V）よりも高いブレークダウン電圧（650V）によって、高い安全マージンが確保され、システムのロバスト性と信頼性の向上に貢献します。

MDmesh M2シリーズで追加された高耐圧表面実装型パッケージ（PowerFLAT 5x6 HV）は、優れた熱特性と電流処理能力を、小型サイズで実現します。2015年第1四半期から対応が始まるこのパッケージにより、電力密度が向上するため、信頼性を維持したまま高い出力を提供する次世代の小型設計を可能にします。

MDmesh M2 シリーズは、ノートPCやプリンタ、ゲーム機などの電源アダプタに加え、テレビやオーディオ機器の内蔵電源にも適しています。また、同製品の高い熱効率と熱特性は、シングル・ストリングのLED照明（3W～25W）や、高定格電力のマルチ・ストリング照明向けドライバにも有効です。また、PowerFLAT 5x6 HVパッケージは、特に太陽光発電システムの小型インバータに最適で、MDmesh M2の高い効率を、住宅・工業用の小型モジュールに提供します。

650V耐圧パワーMOSFETであるMDmesh M2シリーズは、22製品で構成されており、最大電流は4Aから11Aまで、オン抵抗は最低0.360Ωです。D2PAKパッケージで提供されるSTP6N65M2の価格は、1,000個購入時に約0.92ドルです。

詳細については、 http://www.st.com/mdmeshm2 をご覧ください。

STマイクロエレクトロニクスについて
STは、「センス & パワー、オートモーティブ製品」と「エンベデッド・プロセッシング　ソリューション」の多種多様なアプリケーションに半導体を提供する世界的な総合半導体メーカーです。エネルギー管理・省電力からデータ・セキュリティ、医療・ヘルスケアからスマート・コンスーマ機器まで、そして、家庭、自動車、オフィスおよび仕事や遊びの中など、人々の暮らしのあらゆるシーンにおいてSTの技術が活躍しています。STは、よりスマートな生活に向けた技術革新を通し、「life.augmented」の実現に取り組んでいます。2013年の売上は80.8億ドルでした。さらに詳しい情報はSTのウェブサイト（ http://www.st-japan.co.jp ）をご覧ください。

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