自動車の電力効率を改善する新しいパワーMOSFETの量産を開始

最新のパワー・デバイス技術が、
快適装備、ボディおよびパワー・トレインの電子回路における
省エネ化や軽量化に貢献
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エレクトロニクス分野の多種多様なアプリケーションに半導体を提供する世界的
半導体メーカーで、車載用ICの主要サプライヤであるSTマイクロ
エレクトロニクス（NYSE：STM、以下ST）は、STripFET(TM) VI DeepGATE(TM)
技術を採用したパワーMOSFET製品シリーズを拡張しました。新たに加わった
9種類の製品はオートモーティブ・グレードに対応しており、電力効率、サイズ
およびコスト面のメリットを将来の自動車に提供します。

自動車メーカーにとって、電力効率に優れた電気システムの重要性がますます
高まっています。これらのシステムは、パワー・ウィンドウ、ワイパー、
ヒーター、エンジン制御装置、スタータ・オルタネータ、エネルギー回収
システム等、様々な機器を管理します。特にハイブリッド・電気自動車は、
走行可能距離を最大化するために効率的な電力管理が必要です。STの新しい
パワーMOSFETは、電気的な駆動と制御により通常発生するエネルギー損失を
最小限に抑えることで効率を向上させると共に、熱の発生を低減し、より小型・
軽量サイズを可能にします。

AEC-Q101に準拠するこのパワーMOSFET（30V / 40V）は、STの先進的な
STripFET VI DeepGATE技術を採用しており、実効チップ・サイズに対して極めて
低い導通損失を実現しています。また、低いオン抵抗範囲（3.0m～12.5mΩ）が
特徴で、基板占有スペースが小さい業界標準の表面実装型パワー・パッケージ
（DPAKまたはD2PAK）で提供されます。この新しいパワーMOSFETシリーズには、
ロジック・レベルと標準レベルの両タイプが含まれています。

自動車向けの信頼性と堅牢性を確保するため、全製品にウェハ・レベルおよび
完成品段階で、AEC-Q101認定に準拠する100%のアバランシェ試験を実施して
います。これらの新製品は、自動車以外の広範な機器やアプリケーション
における電源やパワー・ドライブの電力効率も向上させます。

主な特徴
・ブレークダウン電圧：30Vおよび40V
・定格電流： 44A～80A
・標準スレッシュホールド駆動
・ロジック・レベル・デバイス
・動作温度範囲：-55℃～175℃
・AEC-Q101認定準拠

現在、9種類の新製品が量産中です。単価は1,000個購入時に0.50ドル
（高オン抵抗製品）～1.80ドル（ 低オン抵抗製品）です。
大量購入時の単価については、お問い合わせください。

詳細については、
http://www.st.com/jp/analog/class/824.jsp をご覧ください。

STripFETとDeepGATEは、STMicroelectronicsの商標です。
他のすべての商標は、それぞれの所有者の財産です。

STマイクロエレクトロニクスについて
STマイクロエレクトロニクスは、多種多様な電子機器向けに革新的な半導体
ソリューションを提供する世界的な総合半導体メーカーです。STは、高度な
術力と設計ノウハウ、そして幅広いIP（Intellectual Property）ポート
フォリオ、戦略的パートナーシップ、大規模な製造力を駆使することにより、
マルチメディア・コンバージェンスとパワー・アプリケーションにおいて他社の
追随を許さないリーダーとなることを目指しています。
2010年の売上は103.5億ドルでした。
さらに詳しい情報はSTのホームページをご覧ください。
ST日本法人: http://www.st-japan.co.jp
STグループ（英語）: http://www.st.com

◆ お客様お問い合わせ先
〒108-6017 東京都港区港南2-15-1
品川インターシティA棟
STマイクロエレクトロニクス（株）
APMグループ
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