最新技術革新を採用した5Mピクセル CMOSイメージ・センサのロードマップを発表

市場で最も豊富な機能を備えた
5Mピクセル 1/4インチCMOSイメージ・センサのロードマップが、
先端小型ピクセル技術 、業界標準インタフェース、最新パッケージ・オプション
を組み合わせ、設計作業の柔軟性を向上

CMOSイメージ・センサ技術において世界をリードするSTマイクロエレクトロニクス
（NYSE：STM、以下ST）は、カメラ付き携帯電話で通常使用される標準1/4インチ
光学フォーマットを採用した、新しい5MピクセルCMOSイメージ・センサのロード
マップを発表しました。STの最先端センサは、5Mピクセル解像度における最も
豊富な製品ラインアップを用意することで、様々な機能を提供しています。

STの新しいセンサは、RAWベイヤ・センサやシステム・オン・チップ（SoC）センサ
といったオプション、EDoF（強化被写界深度、Extended Depth of Field）機能や
オートフォーカス・ドライバ内蔵カメラ、業界標準の高速データ・インタフェース、
従来のカメラ組立てや最新の超小型ウェハ・レベル・カメラのパッケージ技術に
対応しているため、設計の柔軟性を向上させます。

今回の発表は、STが2009年2月に発表したEDoF機能搭載CMOSイメージ・センサ
（3Mピクセル）に続くものです。STのセンサ・ビジネス・ユニットのディレクタ
であるArnaud Laflaquiereは、次の様にコメントしています。「我々の新しい
5Mピクセル1/4インチ・センサは、EDoF機能搭載 CMOSイメージ・センサの完全
かつ競争力のあるロードマップ構築に向けた、当社の戦略の一部です。画質を
最大限に高める独自の技術を採用した最先端の65/45nmピクセル技術と、ウェハ・
レベル・カメラ組立てにおけるパッケージ互換性を利用することにより、
革新的で魅力的な幅広いソリューションを競争力のあるシステム・コストで実現
することができます。」

現在、これらのセンサの初回サンプルの入手が可能です。ロードマップでは、
引き続き2009年末に向けて新製品を発表する予定です。このセンサ・ファミリの
基盤となっているSTの65/45nmピクセル工程は、1.4μmのピクセル・サイズを実現
できるため、6.5 × 6.5mm以下のサイズで5Mピクセル・カメラを製造でき、通常
5mmという低いモジュール高さによって超薄型携帯電話の設計が可能です。また、
これらのセンサは、SN比（信号対雑音比）を最大化するST独自のピクセル分離技術
を活用することで、クラス最高の画質を実現します。

新製品の1つである1/4インチ ベイヤ・センサは、ホスト・システムまたは
スタンドアロンISPによって画像処理を行う携帯電話のピクセル密度を高める
ことができます。STは、様々なSoCセンサも提供しているため、カメラの被写界
深度を最大化するために使用されるEDoFプロセッサなどの機能を内蔵させることで、
カメラ付き携帯電話のさらなる小型化を可能にします。その結果、設計者は
オートフォーカス機能を搭載する手間が省けるだけでなく、コストおよびサイズも
標準の固定焦点モジュールと同等レベルに抑えられます。ロードマップにある
その他センサは、フォーカス機構用にボイス・コイル・モータ（VCM）ドライバ
を集積することで、オートフォーカスが必要とされるアプリケーションをサポート
します。

新しいセンサは、業界標準のパラレル・インタフェースを搭載しているため、
殆どの携帯電話アプリケーション用プロセッサと直接接続することができます。
また、MIPI（Mobile Industry Processor Interface）アライアンスが策定した
シングル・ラインとデュアル・ラインの1GHzカメラ・シリアル・インタフェース
（CSI-2）、およびSMIA（Standard Mobile Imaging Architecture）グループが
策定した650Mbits/s Compact Camera Port（CCP2）を搭載しているため、小型
フォーム・ファクタによるメリットだけでなく、高速画像転送を促進する高データ
転送速度にも対応しています。

STは、5Mピクセル CMOSイメージ・センサのロードマップに、標準ダイ・
パッケージとTSV（Through-Silicon Via）パッケージを用意しています。
標準パッケージは、COB（Chip-On-Board）センサ接続とディスクリートな光学
部品を組み合わせたカメラをサポートします。ウェハ・レベル・カメラ（ウェハ・
レベルでの全自動カメラ組立て）などの新技術を実現するTSVは、次世代カメラ
付き携帯電話やその他のデジタル・イメージング製品において、コスト低減や
品質向上を可能にします。

詳細は、http://www.st-japan.co.jp/imaging/ をご覧ください。

また、本プレスリリースは以下のURLでもご覧いただけます。
http://www.st-japan.co.jp/data/press/t2426h.html

STマイクロエレクトロニクスについて
STマイクロエレクトロニクスは、多種多様な電子機器向けに革新的な半導体
ソリューションを提供する世界的な総合半導体メーカーです。STは、高度な技術
力と設計ノウハウ、そして幅広いIP（Intellectual Property）ポートフォリオ、
戦略的パートナーシップ、大規模な製造力を駆使することにより、マルチメディア・
コンバージェンスとパワー・アプリケーションにおいて他社の追随を許さない
リーダーとなることを目指しています。2008年の売上は98.4億ドルでした。
さらに詳しい情報はSTのホームページをご覧ください。
ST日本法人:http://www.st-japan.co.jp
STグループ（英語）:http://www.st.com

◆ お客様お問い合わせ先
〒108-6017 東京都港区港南2-15-1
品川インターシティA棟
STマイクロエレクトロニクス（株）
Advanced Business Development部
TEL: [phone]　FAX: [phone]